AFM電磁學工作（zuò）模式及對應探針型號

PART.1

Conductive AFM 導電原子力顯微鏡

Conductive AFM (cAFM) — 導電原子力顯（xiǎn）微鏡（CAFM）是一種源自接（jiē）觸AFM的二次成像模式，它表征了中到低導電和半（bàn）導體材（cái）料的（de）導電率變化。CAFM的電流（liú）範圍為pA至μA。

PART.2

Tunneling AFM 峰值力隧穿原子（zǐ）力顯微鏡
Tunneling AFM (TUNA) — 峰值力隧穿原子力顯微鏡（TUNA）的工作原理與導電AFM相（xiàng）似，但具有更高的靈敏度（dù）。TUNA表征了通過（guò）薄膜厚度的超低電流（80fA和120pA之（zhī）間）。TUNA模式可以在（zài）成像或（huò）光譜模式下運行。

PART.3

Scanning Capacitance Microscopy 掃描電容顯微鏡
Scanning Capacitance Microscopy (SCM) — 掃（sǎo）描電容顯微鏡（SCM）繪製了樣品表麵（miàn）（通常是摻雜（zá）半導體（tǐ））上大多數載流子濃度（電子或空穴）的變化。SCM向樣（yàng）本施加高頻（90 kHz）AC偏壓，並使（shǐ）用高（gāo）頻（1 GHz）檢測器測量掃（sǎo）描樣本表麵時的局部樣本電容變化。這些電容變化是半導體中多數載流（liú）子濃度的函數；因此，相對載流（liú）子濃度可以映射在1016–1021 cm-3的範圍內。

Laser Diode Cross Section

PART.4

Piezo Response Microscopy 壓電力響應顯微鏡
Piezo Response Microscopy (PFM) — 壓電力響應顯微（wēi）鏡（PFM）是一（yī）種基於接觸（chù）模式（shì）的技術，可繪製樣品上的反向壓電效應。對樣品進行電刺激，並使用鎖定技術監測樣品的地形響應。振幅和相位信息揭示了（le）關於樣品上極化的強度（dù）和方向的信息。

PPLN PFM Data

PART.5

Electric Force Microscopy 靜電力顯微鏡
Electric Force Microscopy (EFM) — 靜電力（lì）顯微鏡（EFM）通過導電探針測（cè）量樣品表麵上方的（de）電場梯度分布。表（biǎo）征樣品表麵的靜電勢能，電荷分布及電荷運輸等。

Carbon black particles, 3 mm scan size

常用探針選型：