原子力（lì）顯微鏡探針(AFM探（tàn）針)，是原子力顯微鏡（AFM）設備（bèi）非常重要的配件耗材之一。我司提（tí）供的布魯克AFM探針（zhēn）具有多種款式和（hé）型號（hào），能夠滿足多種應用領域中的原（yuán）子力顯微鏡（AFM）解決方案。

      在實驗中，用戶所得到（dào）的數據通常取決於探針的質量和探針的重複性。布魯克的探針具（jù）有嚴格的納米加工控製和質量測試，具備AFM領域的專業背景，不僅能夠為當前的應用提供（gòng）測試結果（guǒ），同時也能為將來的研究提供參考數（shù）據。

      目前，布（bù）魯克原子力顯微鏡（AFM）已被廣泛應用於生命科學、材料科學、半導體、電化學等領域的納（nà）米技術研發，應用廣泛，因此（cǐ）所配套的探針種類也在不斷增加（jiā），為了幫助客戶能夠便捷的選擇出適（shì）合測量需求的探針型號，可通過以下的（de）探針選型指南來更快速的找到更適合的（de）探針類型。

原子力（lì）顯微鏡探針(AFM探（tàn）針)常用型號一覽

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探針（zhēn）選型（xíng）指南

一、AFM探針簡介

每個探（tàn）針都由三部分（fèn）組成：tip（針尖），cantilever（懸臂梁），substrate（基片）

大部分（fèn）材料都是（shì）矽或者（zhě）氮化（huà）矽。

一般懸臂梁的形狀有：矩形和三角形、Special。

1）懸臂的主要參數（shù）有：spring constant（彈性（xìng）係數（shù））、resonance frequency（共振頻率）、懸臂長度（寬度（dù）厚度等）、懸臂形狀、懸臂的鍍層、懸臂材料（liào）、懸臂梁（liáng）的數目等；
2）針尖tip的主要參數有：tip radius、tip geometry、tip coating、tip height等（děng）；
3）不同的探針具體（tǐ）有不同的用（yòng）途， 所以我（wǒ）們也從適（shì）合的樣品（sample）類型、適合的AFM機型（包括非Bruker品（pǐn）牌的afm機型）、適合的工作模式（work mode）、適合的應用（application）對探（tàn）針（zhēn）做了分類，可以在探針左邊的帥選欄裏進（jìn）行相應的篩選和查詢。

二、如何挑選AFM探針：

1）確認待測物
      如：高分子（zǐ）、無機物、細胞........
2）確認AFM應用模式
     形貌（mào）、電性、液下成像、力曲線............
3）確認掃描的精度
     挑選合適探針針尖1nm、2nm、7nm、10nm........?
4）確認共振（zhèn）頻率和彈性係（xì）數
      取決於掃描速度、工作模式、待測物軟硬度等信息

注：目前（qián）網站中所展示的是較為常見的（de）探針係列及型號，除此以外的一些 bruker（布魯克）探針型號，如（rú）：PFQNM-LC 、PEAKFORCE SECM 等，未在網（wǎng）站上進行展示（shì），如需提供報價或者具（jù）體參數，請與我公司聯係，聯係方式可見上方“聯係我們”。

三、以下是針對大部分探針係列的簡要說（shuō）明：

關於不同係列探針後麵的 A，AW，W；-HM，-HR，-LM 等標識的說明，具體（tǐ）如下（xià）：

1）AD 係列探（tàn）針，金剛石鍍層導電矽基（jī）探（tàn）針（zhēn），一盒 5 根。根據頻率和（hé）曲率半徑的不（bú）同，有不同的型號。

2）CDP 和 CDR 係（xì）列、EBD-CD 探針，主要用於 insight（全自（zì）動原子力顯（xiǎn）微鏡（jìng））機（jī）型上。

3）CLFC 係列探針，tipless
• CLFC-NOBO 和 CLFC-NOMB 探針，用來做（zuò） calibration，用其自（zì）身已知的懸（xuán）臂 Kref（彈性係數）值來校準未知探針懸臂的（de） K 值。
• 要（yào）校準的懸臂的彈性（xìng）係數一般應（yīng）該在 0.3Kref

4）CONTV 係列的探（tàn）針
• -A 表示一盒 10 根（gēn）針，且懸臂背麵有 Al 鍍層
• -AW 表示一個 wafer，大（dà）概（gài）有 300-400 根針，且懸臂背（bèi）麵有 Al 鍍層
• -W 表示一個 wafer，但懸臂背麵無鍍層（no coating)
• 隻寫了 CONTV，表示一盒 10 根針，但懸臂背麵無鍍層（no coating)
• -PT 表示懸臂前麵（含 tip）有 Ptlr 鍍層，導（dǎo）電

5）DDESP 係列和 DDLTESP-V2、DDRFESP40 探針，導電，有導電金剛石塗層 tip

6）DNISP 係列和 PDNISP、MDNISP-HS、NICT-MAP 探（tàn）針，有手工製作的天然金剛（gāng）石納米壓痕 tip，都可以（yǐ）做納米壓痕。

7）DNP 係（xì）列探針，每個型號懸臂背麵都有 Gold 鍍層
• -10 表示一盒 10 根針且曲率半徑的標（biāo）稱值（zhí）為 20nm
• DNP 後（hòu）麵（miàn）啥數字沒有，表示一盒一個 wafer，大概有 300-400 根針，且曲率半徑（jìng）的標稱值為 20nm
• -S10 表示（shì）一盒 10 根針且曲率半（bàn）徑的標稱值為 10nm
• DNP-S 後麵啥數字沒有，表示一盒一個 wafer，大概有 300-400 根針，且且曲率半徑的標稱值為 10nm

8）ESP 係列的探針
• ESP 後麵帶（dài） A，表示一盒 10 根針，且懸臂背麵有 Al 鍍層
• ESP 後麵（miàn）帶 AW 表示（shì）一個 wafer，大概（gài）有 300-400 根（gēn）針，且懸臂背麵有 Al 鍍層
• ESP 後麵帶 W 表示一個 wafer，但懸臂（bì）背麵無鍍層（no coating）
• 隻寫了 ESP，表示一盒 10 根針，但懸臂背（bèi）麵無鍍層（no coating)

9）Fastscan 係列探（tàn）針，專門用在 Dimension FASTSCAN 這個 AFM 機型上

10）FESP 係列的探針
• FESP 後麵帶 A，表示一盒 10 根針，且懸臂背麵有 Al 鍍層
• FESP 後麵（miàn）帶 AW 表示一個 wafer，大概（gài）有 300-400 根針，且懸臂背麵（miàn）有 Al 鍍層
• FESP 後麵帶 W 表示（shì）一個（gè） wafer，但懸臂背（bèi）麵無鍍層（no coating）
• 隻（zhī）寫了 FESP，表（biǎo）示（shì）一盒 10 根針，但懸臂背麵無鍍層（céng）（no coating)

11）FIB 係列（liè）的探針
• -A 是（shì）一盒 5 根，且懸臂背麵有（yǒu） Al 鍍層；否則就是一盒 5 根，但（dàn）懸臂背麵無鍍層（céng）（nocoating）
• 不（bú）同 AFM 機型對應的有不同型號的 FIB 探針，具體請在 AFM 探針篩選中查（chá）詢

12）FMV 係列探針
• -A 表示一盒 10 根針，且懸臂背（bèi）麵有 Al 鍍（dù）層
• -AW 表（biǎo）示一個 wafer，大概有 300-400 根針，且懸臂背麵有 Al 鍍層
• -W 表示一個 wafer，但懸臂背麵無鍍（dù）層（no coating)
• 隻寫了 FMV，表示一盒 10 根針，但懸臂背麵無鍍層（no coating)
• -PT 表示表示懸臂前（qián）麵（含（hán） tip）有 Ptlr 鍍層，導電

13）HAR 係（xì）列探針
• -A-10 表示一盒 10 根針，且懸臂背麵有 Al 鍍層

14）HMX 係列探針
• -10 表示表示一盒 10 根針，且懸臂背麵有 Al 鍍層
• -W 表示一個 wafer，且（qiě）懸（xuán）臂背麵有 Al 鍍（dù）層

15）LTESP 係列探針
• -A 表（biǎo）示一盒 10 根針，且懸臂背麵有 Al 鍍層
• -AW 表示一個 wafer，大概有 300-400 根針，且懸臂背麵有 Al 鍍層（céng）
• -W 表示一個 wafer，但懸臂背麵無鍍層（céng）（no coating)
• 隻寫（xiě）了 LTESP，表示一盒 10 根針，但懸臂背麵無鍍層（no coating)

16）MESP 係列探針，導電，懸臂前麵（含 tip）有 Magnetic CoCr 導電塗層
• -HM 表示高（gāo）磁距 high moment
• -HR 表示高分（fèn）辨（biàn）高（gāo）磁矩（high-resolution, high moment）
• -LM 表示 low moment

17）MLCT 係（xì）列
• -bio 和-bio-DC 是為生物樣品優化的探針，tip 的形狀和高（gāo）度跟（gēn） MLCT 不一樣，而（ér）且-bio-DC 有熱漂補償，因此對於細胞培養和溫度變化中測量的生物樣品，可以考（kǎo）慮用這款探針。
• MLCT-FB 的鍍層比（bǐ） MLCT 厚，其他方麵和 MLCT一樣。
• -O 表示沒有 tip。
• -UC 表示沒有鍍層。tip radius 是 20nm

18）MSCT 係列探針
• MSCT-MT-A 隻有一個懸臂，隻能在 innova 上用。
• -UC 表示沒有鍍層。MSCT 相比 MLCT 係列，針尖半徑（tip radius 為（wéi） 10nm）更小。

19）MSNL 係列，比 MSCT 和（hé） MLCT 係列的針（zhēn）尖半徑更小，隻有 2nm。

20）MLCT\MSCT\MSNL 係（xì）列的探針，有鍍層的都是 reflection gold。

21）NCHV 係（xì）列，雖然參數和 rtesp-300 差不多，但其是性價比高的探針，隻能做定（dìng）性的分析，不（bú）能拿來做 QNM。

22）NCLV 係列探針也是性價比高的探（tàn）針

23）NP 係列探針
• -10UC 表示一盒 10 根，且懸臂背（bèi）麵無鍍層
• -W-UC 表示（shì）一盒一個 wafer，且懸臂背麵無鍍層
• NP 後麵跟“G”，表示懸臂前麵和背麵（miàn）都有 Gold 鍍層；NPG 表示（shì）一盒一個 wafer，大（dà）概 300-400 根NPG
• -10 表示一盒 10 根
• -O10 表示一盒 10 根，探針無針（zhēn）尖（tipless）且懸臂背麵有 Gold 鍍層
• -OW 表示一盒一個 wafer，探針無針尖（tipless）且懸臂背麵有 Gold 鍍層
• NPV-10 表示一盒 10 根，且懸臂背（bèi）麵有 Gold 鍍層

24）OBL-10 探針，是不能調角度的，懸臂的傾（qīng）角是±3°，不能裝在 Dimension afm 上。

25）PEAKFORCE-HIRS 係列探針，tip radius 隻有 1nm, 而且頻率都是 100KHz 以上，可（kě）以（yǐ）做高分辨成（chéng）像（xiàng）。

26）PFDT係列，專門用在有peakforce deep trench工（gōng）作模式（shì）的Dimension icon機型上測Holes/Trenches

27）PFQNE-AL 探針，導電，是專（zhuān）門為 peakforce KPFM 模式優化的探針（zhēn）。由於部分參數需要保密，目前可展示的參數不全

28）PT 係列是做 STM 模式用的探針

29）RESP 係列探（tàn）針
• RESP 後麵跟“A”，表示懸（xuán）臂背麵有 Al 鍍層，且一盒有 10 根
• RESP 後麵跟“AW”，表示懸臂背麵有 Al 鍍層，且一盒有一個 wafer，大概 300-400根
• RESP 後麵跟“ ”，表示懸臂背麵無鍍層，且一盒有 10 根
• -10 表（biǎo）示共振頻（pín）率是 10KHz
• -20 表示共振頻（pín）率是 20KHz
• -40 表示工（gōng）作（zuò）頻率（lǜ）是 40KHz

30）RFESP 係列探針
• RFESP 後麵跟“A”，表示懸臂（bì）背麵有 Al 鍍層，且一盒有 10 根
• RFESP 後麵跟“AW”，表示懸（xuán）臂背麵有 Al 鍍層，且一盒有一個 wafer，大概 300-400根
• RFESP 後麵跟“ ”，表示懸臂背麵無鍍層，且一盒有 10 根
• -190 表（biǎo）示共振頻（pín）率是（shì） 190KHz
• -75 表示共振頻率是 75KHz
• -40 表（biǎo）示工作頻率是 40KHz

31）RMN 係列探針（zhēn），導電
• 固體（tǐ）金（jīn）屬（Solid Metal）探針，有優良的導電性，並且不會出（chū）現金屬塗（tú）層矽探針（zhēn）所產（chǎn）生的薄膜粘（zhān）附問題。
• 根據不同的應用對應有不同的（de）型號可以選擇

32）RTESP 係列探針
• RTESP 後麵跟“A”，表示懸臂背麵有 Al 鍍層，且一（yī）盒（hé）有 10 根
• RTESP 後麵跟“AW”，表（biǎo）示懸臂背麵有 Al 鍍層，且 一盒有一個 wafer，大概 300-400 根
• RTESP 後麵跟“ ”，表示（shì）懸（xuán）臂背麵無鍍層，且一盒有 10 根
• -150 表示共振頻率是 150KHz，-150-30 屬於預校準探針（zhēn），表示共振頻率是 150KHz，且（qiě）曲率半徑（jìng）是 30nm
• -300 表示（shì）共振頻率是 300KHz；-300-30 屬於預校準（zhǔn）探針，表示共振頻率是 300KHz，且曲率半（bàn）徑是 30nm
• -525 表示工作（zuò）頻率是 525KHz；-525-30 屬於預校準探針，表示共（gòng）振頻率是 525KHz，且曲率半徑（jìng）是 30nm

33）SAA-HPI 係（xì）列 探針，
• -30 表示（shì）是預校準探針，曲（qǔ）率半徑為 30nm
• -SS 表示超尖探針，曲率半（bàn）徑的標稱值（zhí）為 1nm
預校準的探針有：
• SAA-HPI-30： 0.25N/m, k certified, controlled end radius, 一盒5根（gēn）
• RTESPA-150-30： 5N/m, k certified, controlled end radius, 一盒5根（gēn）
• RTESPA-300-30： 40N/m, k certified, controlled end radius, 一盒5根
• RTESPA-525-30： 200N/m, k certified, controlled end radius,一盒5根

34）SCANASYST 係（xì）列探針，
專門（mén）為 SCANASYST（智（zhì）能模式）優化（huà）的探針

35）SCM 係列探針，導（dǎo）電，懸臂前麵（含 tip）有 Conductive PtIr 或Conductive PtSi 鍍層

36）SMIM 係（xì）列探針，導電

37）SNL 係列探針，
• -10 表示一盒 10 根；
• -W 表示一盒一（yī）個 wafer，大概 300-400 根

38）SSRM-DIA 探針（zhēn），導電

39）TESP 係（xì）列探針
• TESP 後麵跟後麵跟“A”，表示懸臂背麵有 Al 鍍（dù）層，且一盒有 10 根
• TESP 後麵跟“AW”，表示懸臂背（bèi）麵有 Al 鍍層，且一盒有一個 wafer，大概 300-400根
• TESP 後麵跟“D”，表示 DLC 塗（tú）層矽探針，其表麵硬化類的金剛石(DLC)塗層，目的是（shì）為了（le）增加 tip 壽命，且一（yī）盒 10 根
• TESP 後麵跟“DW”，表示 DLC 塗層矽探針，其表麵硬化類金剛石(DLC，Diamond-LikeCarbon)塗層，目的是為（wéi）了（le）增加 tip 壽（shòu）命，且（qiě）一盒一個 wafer
• TESP 後（hòu）麵跟“ ”，表（biǎo）示懸臂背麵無鍍層，且一盒有 10 根
• -HAR 表示具有高縱橫（héng）比(HAR)探針，是具有高/深幾何形狀的樣品在進行 tapping 模式成像下的理想選擇。
• -V2 表示（shì）高質（zhì）量、新設計的探針
• -SS 表示超尖針尖，針尖曲率半徑標稱（chēng）值為 2nm，且一盒 10 根
• -SSW 表示超尖針尖，針（zhēn）尖曲（qǔ）率半徑標稱值（zhí）為 2nm，且一盒一個 wafer

40）VITA 係列探針，做熱分析或者做掃描熱分析的（de）探針，具體可以通過探針網站搜（sōu）索對應 的（de）型號和參數、適合的 AFM 機型等信息。

41）VTESP 係列探針
是 visible apex 形狀的（de）探針，tip 在懸臂前端，可以用來定位。 OLTESPA-R3，OSCM-PT -R3（導電探針）和 OTESPA-R3，VTESP 係列探針是 visible apex 形狀的探針，tip 在懸臂前端，可以（yǐ）用來（lái）定位。
• VTESP 後麵跟“A”，表示懸臂背麵有 Al 鍍層
• -300 表示共振頻率為 300KHz
• -70 表示共（gòng）振（zhèn）頻率為 70KHz
• -300（或-70）後麵有“-W”，表示一盒一（yī）個 wafer
• -300（或-70）後麵有“ ”，表示一盒 10 根